French - English technical dictionary

transistor à jonction
junction transistor
information technology and data processing / electronics and electrical engineering / natural and applied sciences - acta.es iate.europa.eu
Le premier est un transistor à jonction bipolaire (BJT), le second est un transistor à effet de champ MOS (MOSFET), et le troisième est constitué de trois transistors à effet de champ à jonction (JFET) montés en série.

The first being a Bipolar Junction Transistor (BJT), the second a Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor (MOSFET), and the third consisting of three normally off JFETs connected serially.

electronics and electrical engineering - wipo.int
L'invention concerne des procédés pour fabriquer des transistors à jonction bipolaire, des transistors à jonction bipolaire fabriqués au moyen de ces procédés, et des structures de conception pour un transistor à jonction bipolaire.

Methods for fabricating bipolar junction transistors, bipolar junction transistors made by the methods, and design structures for a bipolar junction transistor.

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Dans un transistor à jonction à nitrure III (11a), une seconde couche de AlY1InY2Ga1-Y1-Y2N (15) forme une jonction (21) avec une première couche de AlX1InX2Ga1-X1-X2N (13a).

In a III nitride heterojunction transistor (11a), a second AlY1InY2Ga1-Y1-Y2N layer (15) forms heterojunction (21) with a first AlX1InX2Ga1-X1-X2N layer (13a).

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La zone canal possède une concentration de dopage qui définit la tension seuil du transistor MOS de sorte qu'elle soit inférieure à la tension seuil du transistor à jonction bipolaire parasite.

The channel region has a doping concentration establishing a threshold voltage for the MOS transistor which is less than the threshold voltage of the parasitic bipolar junction transistor.

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Les techniques et les circuits peuvent être utilisés dans une large gamme d'applications et de nombreux transistors du transistor à métal-oxyde-semi-conducteur au transistor à jonction bipolaire peuvent mettre en oeuvre les techniques de l'invention.

The techniques and circuits can be used in a wide range of applications and various transistors from metal-oxide-semiconductor to bipolar junction transistors may implement the techniques presented herein.

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French - English translation in context

La présente invention concerne des procédés de commande d'excitation pour un transistor BJT (transistor à jonction bipolaire) ou IGBT (transistor bipolaire à porte isolée) pour commander la saturation dudit transistor pour une fermeture rapide.

We describe a methods of controlling the drive to a BJT or IGBT transistor to control the saturation of said transistor to achieve fast turn-off.

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transistor à jonction à effet de champ à canal n

n-channel junction field-effect transistor

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transistor à jonction à effet de champ à canal p

p-channel junction field-effect transistor

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Le transistor non passant fonctionne afin d'éliminer rapidement, lorsqu'il convient, une charge stockée de la jonction base-collecteur du transistor à jonction bipolaire (1).

The turn-off transistor functions to rapidly remove stored charge from the collector-base junction of the SR BJT (1) when appropriate.

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La présente invention se rapporte à un transistor à jonction bipolaire en silicium dont les écartements de lignes émetteur sont approximativement égaux ou inférieurs à 0,25 microns.

The present invention is drawn to a silicon bipolar junction transistor having emitter line spacings on the order of approximately 0.25 microns or less.

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Un circuit d'alimentation pour une diode laser comprend une diode laser (LD1) raccordée en série avec un transistor à jonction (TR1).

A laser diode supply circuit comprises a laser diode (LD1) connected in series with a junction transistor (TR1).

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On peut employer d'autres types d'interrupteurs à semi-conducteurs à la place d'un transistor à jonction bipolaire ou en plus de celui-ci.

Other types of solid state switches can be employed instead of or in addition to the bipolar junction transistor.

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La présente invention concerne un procédé de formation de transistor à jonction bipolaire (BJT) dans un substrat à semiconducteur et un transistor BJT formé selon ce procédé.

A process for forming a bipolar junction transistor (BJT) in a semiconductor substrate and a BJT formed according to the process.

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La présente invention concerne un procédé de détection du signal de coupure réel d'un BJT (transistor à jonction bipolaire) dans un ballast électronique et le ballast électronique correspondant.

This invention relates to a method for detecting the real cutting off signal of BJT (bipolar junction transistor) in an electronic ballast and the corresponding electronic ballast.

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La technique peut être utilisée dans la fabrication d'un transistor à jonction bipolaire à base épitaxiale auto-aligné ou un transistor bipolaire à hétérojonction SiGe.

The technique can be used in the manufacture of a self-aligned epitaxial base BJT (bipolar junction transistor) or SiGe HBT (hetero junction bipolar transistor) .

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La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor à jonction bipolaire (BJT) en carbure de silicium (SiC), et un BJT en SiC.

The present invention relates to a method of manufacturing a silicon carbide (SiC) bipolar junction transistor (BJT) and a SiC BJT.

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