French - English technical dictionary

gravure de silicium
silicon etching
natural and applied sciences - acta.es
L'invention concerne un procédé de gravure de silicium permettant de graver un substrat de silicium pour fournir des tranches de silicium de différentes largeurs.

Disclosed is a silicon etching method for etching a silicon substrate to provide silicon trenches of different width dimensions.

technology and technical regulations - wipo.int
Les procédés peuvent comprendre la gravure de l'empilement de diélectriques qui utilise l'étape d'ajustage latéral d'un masque comme une partie d'un processus de gravure de silicium.

Methods can include dielectric stack etching that uses a mask trimming step as part of a silicon etching process.

electronics and electrical engineering - wipo.int
Dans un autre mode de réalisation, le fluorure d'hydrogène est récupéré du procédé de réaction et réintroduit dans le procédé de gravure de silicium poreux.

In an alternate embodiment, the hydrogen fluoride is recovered from the reaction process and reintroduced into the porous silicon etching process.

chemistry - wipo.int
L'invention concerne un procédé de gravure de silicium monocristallin qui consiste notamment à obtenir un substrat de silicium monocristallin renfermant au moins une tranchée.

A single crystal silicon etching method includes providing a single crystal silicon substrate having at least one trench therein.

electronics and electrical engineering - wipo.int
L'invention porte sur un liquide de gravure de silicium caractérisé par la dissolution anisotrope d'un silicium monocristallin au moyen d'une solution aqueuse contenant de l'hydroxyde d'ammonium quaternaire et un sel d'aminoguanidine.

Disclosed is a silicon etching liquid characterized by anisotropically dissolving a single crystal silicon by using an aqueous solution containing quaternary ammonium hydroxide and an aminoguanidine salt.

electronics and electrical engineering - wipo.int

French - English translation in context

L'invention porte également sur un procédé de gravure de silicium avec l'agent de gravure.

  A method for etching silicon by using the etchant is also disclosed.

electronics and electrical engineering - wipo.int
La présente invention concerne également l'utilisation de cette solution pour la gravure de silicium, ainsi que des procédés de gravure pour des tranches de silicium.

The invention also relates to the use of said etching solution for etching silicon and to etching methods for silicon wafers.

electronics and electrical engineering - wipo.int
On décrit un processus de gravure de silicium germanium.

A silicon germanium etch is provided.

electronics and electrical engineering - wipo.int
L'invention concerne un procédé et un système de gravure de silicium en tranchées profondes.

A method and system for deep trench silicon etch is presented.

electronics and electrical engineering - wipo.int
Ici, par exemple, une gravure de silicium profonde est requise et d'autres structures à rapport largeur/longueur élevé sont conçues.

Therein, for instance a deep silicon etch is required and further high aspect structures are designed.

electronics and electrical engineering - wipo.int
Une seconde gravure de silicium est éventuellement utilisée pour retirer des nanofils à l'intérieur de la ou des tranchées.

A second silicon etch is optionally employed to remove nanowires inside the one or more trenches.

electronics and electrical engineering - wipo.int
L'invention concerne aussi un procédé servant à produire un transistor en utilisant l'agent de gravure de silicium.

Also disclosed is a method for producing a transistor by using the silicon etchant.

electronics and electrical engineering - wipo.int
La présente invention concerne des procédés de gravure de silicium pour le polissage de paroi latérale de tranchée.

Methods of silicon etch for trench sidewall smoothing are described.

electronics and electrical engineering - wipo.int
Pour obtenir la forme géométrique de la cellule de mesure (1) et des plaques (2, 3) on procède par une suite d'opérations de dépôt de tracé sélectif ou anisotrope et de gravure de silicium monocristallin ou d'autre matériau semi-conducteur.

The geometric design of the measuring cell (1) and the plates (2, 3) is defined by a multistage process of selective or anisotropic pattern deposition and etching of single crystalline silicon or other semiconductor material.

mechanical engineering - wipo.int
L'invention concerne un procédé de gravure de silicium pour un amincissement de côté arrière, une formation de trous d'interconnexion et un découpage en dés, comprenant l'utilisation d'un gaz contenant du fluor, chauffé par un laser.

A method of etching silicon for backside thinning, formation of vias and wafer dicing that comprises the use of fluorine-containing gas, heated by a laser.

iron, steel and other metal industries - wipo.int


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