French - English technical dictionary

cellule binaire
binary cell
information technology and data processing - acta.es

French - English translation in context

La cellule binaire de mémoire non volatile peut être une cellule binaire à quatre bornes.

The non- volatile memory bitcell may be a four terminal bitcell.

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La cellule de mémoire comprend une cellule binaire à mémoire vive statique (SRAM) (32) et une cellule binaire à mémoire morte.

The memory cell includes a static RAM (SRAM) bit cell (32) and a ROM bit cell.

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La présente invention concerne une cellule binaire d’une mémoire vive magnétique d’un couple de transfert de rotation symétrique (STT-MRAM) et une matrice d’une cellule binaire STT-MRAM.

A symmetric Spin Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory (STT-MRAM) bit cell and STT-MRAM bit cell array are disclosed.

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Lorsque RMTJ1 > RMTJ2, la cellule binaire est à l'état '0' et lorsque RMTJ1 < RMTJ2, la cellule binaire est à l'état '1'.

When RMTJ1 > RMTJ2, the bit cell has a '0' state, and when RMTJ1 < RMTJ2, the bit cell has a '1' state.

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Une cellule binaire contient une jonction tunnel magnétique (MTJ) et un transistor de ligne de mots, la cellule binaire étant couplée à une ligne binaire et à une ligne source.

A bit cell includes a magnetic tunnel junction (MTJ) and a word line transistor, the bit cell being coupled to a bit line and a source line.

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Selon l'invention, des opérations de lecture et d'écriture d'une cellule binaire de mémoire non volatile (NVM) ont des paramètres optimaux différents, ce qui entraîne un conflit pendant la conception de la cellule binaire NVM.

Read and write operations of a non-volatile memory (NVM) bitcell have different optimum parameters resulting in a conflict during design of the NVM bitcell.

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Si une donnée « un » doit être appliquée à la cellule binaire, aucune activité de programmation n'est entreprise et le processus s'incrémente à la cellule binaire suivante dans la structure de données.

If a data 'one' is to be applied to the bit cell, no programming activity is undertaken and the process increments to the next bit cell in the data structure.

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Cette sous-ligne binaire Blsa1 est connectée à un circuit bistable (cellule binaire de SRAM) (30a) par l'intermédiaire d'un transistor de connexion Tpg.

The sub-bit line BLsa1 is connected to a flip flop circuit (SRAM bit cell) 30a through a connection transistor Tpg.

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La cellule binaire comprend également un circuit de détection de fusible présentant pas plus d'un transistor.

The bitcell also includes a fuse-sensing circuit having no more than one transistor.

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L'invention concerne un procédé de fabrication d'une cellule binaire de mémoire non volatile.

A method of manufacturing a non-volatile memory bitcell comprises the steps of depositing a first layer of conductive material on a substrate and patterning and etching the first layer of conductive material to form three non-linearly disposed electrodes.

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Une ligne de bit unique dans la cellule binaire NVM empêche l'obtention d'une lecture optimale.

A single bitline in the NVM bitcell prevents optimum read performance.

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Selon l'invention, une commutation asymétrique est définie pour des éléments à cellule binaire magnétique.

Asymmetric switching is defined for magnetic bit cell elements.

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L'invention concerne également un procédé de formation d'une cellule binaire de STT-MRAM.

Also a method of forming an STT-MRAM bit cell is disclosed.

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En conséquence, la zone requise pour chaque cellule binaire est réduite de manière significative.

As a result, the area required for each bit cell is significantly reduced.

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Les deux cellules CPP dans chaque cellule binaire ont différents états de résistance et la cellule MTJ et la cellule CPP dans chaque sous-cellule ont différents états de résistance.

The two CPP cells in each bit cell have different resistance states and the MTJ cell and CPP cell in each sub-cell have different resistance states.

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L'invention concerne une cellule binaire à programmation unique qui comprend un circuit de verrouillage d'inverseurs à couplage croisé.

An OTP bit cell includes a latch circuit of cross-coupled inverters.

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On peut, de ce fait, coder un mot de données à bits multiples à l'intérieur d'une cellule binaire donnée.

Therefore, a multiple bit data word can be encoded within a given bit cell.

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L'invention concerne une structure de cellule binaire de mémoire non volatile (10) qui comprend une structure à double condensateur.

A non-volatile memory bitcell structure (10) is disclosed that includes a dual capacitor structure.

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La cellule binaire est couplée à une ligne de bits (420) et à une ligne source (440).

The bit cell is coupled to a bit line (420) and a source line (440).

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La présente invention concerne une cellule binaire d'une mémoire vive magnétorésistive d'un couple de transfert de rotation (STT-MRAM).

A Spin Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory (STT-MRAM) bit cell is provided.

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Une ligne de bit est couplée, au niveau d'une borne de la cellule binaire, à la structure MTJ.

A bit line is coupled at one terminal of the bit cell to the MTJ structure.

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Une cellule binaire magnétique pour une mémoire et d'autres dispositifs comprend un transistor couplé à une structure MTJ.

A magnetic bit cell for memory and other devices includes a transistor coupled to an MTJ structure.

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La présente invention concerne une cellule binaire de mémoire non volatile qui comprend deux modules bistables en porte-à-faux.

A non-volatile memory bitcell which comprises a first bistable cantilever module and a second bistable cantilever modules.

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Un procédé de programmation de mémoire flash intègre deux pompes de charge par multiplet de cellule binaire.

A flash memory programming process incorporates two charge pumps per byte of bit cells.

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Le placement d'une donnée de valeur « un » dans chaque cellule binaire efface un dispositif de mémoire complet.

Placing a data 'one” value in each bit cell erases an entire memory device.

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Une première ligne de bits est couplée à une cellule binaire et couplée à un amplificateur de détection.

A first bit line is coupled to a bit cell and coupled to a sense amplifier.

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Une seconde ligne de bits est couplée à la cellule binaire et couplée à l'amplificateur de détection.

A second bit line is coupled to the bit cell and coupled to the sense amplifier.

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Un banc de mémoire auxiliaire fournit une cellule binaire pour stocker physiquement un mot additionnel pour chaque rangée.

An auxiliary memory bank provides a bitcell for physically storing an additional word for each row.

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