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Dictionnaire technique français<>anglais / English<>French technical dictionary
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silicium sur isolant

TRADUCTION INTEGRALE / FULL TRANSLATION
silicium sur isolant

silicon-on-insulator (SOI)

électronique / electronics - acta.es
silicium sur isolant

silicon-on-insulator

informatique et traitement des données / information technology and data processi - iate.europa.eu // santrans.net
silicium sur isolant

SiON

informatique et traitement des données / information technology and data processi - iate.europa.eu // santrans.net
silicium sur isolant

SOI

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silicium sur isolant

silicon on insulator

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TRADUCTION EN CONTEXTE / TRANSLATION IN CONTEXT
une pastille de connexion est disposée dans la couche d'isolation d'un substrat silicium sur isolant

a connection pad is arranged in the insulation layer of an SOI substrate

brevets / patents - wipo.int
transistor à effet de champ à jonctions utilisant une architecture silicium sur isolant

junction field effect transistor using a silicon on insulator architecture

brevets / patents - wipo.int
un transistor à effet de champ à jonctions qui comprend une architecture silicium sur isolant (SOI)

a junction field effect transistor comprises a silicon-on-insulator architecture

brevets / patents - wipo.int
substrats de silicium sur isolant (SOI) pour circuits intégrés dont l'isolant est le dioxyde de silicium.

Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide.

composant électronique / electronic component - eur-lex.europa.eu
l'invention porte sur une galette de silicium sur isolant (SOI) possédant une aptitude élevée à l'utilisation comme getter vis-à-vis d'impuretés métalliques

disclosed is an SOI wafer which has a high gettering ability for metal impurities

brevets / patents - wipo.int
des dispositifs silicium sur isolant (silicon-? on-? insulator, SOI) avec isolation par tranchée peu profonde, formés avec une protection de charge améliorée

shallow trench isolation silicon-on-insulator (SOI) devices are formed with improved charge protection

brevets / patents - wipo.int
cette invention concerne un procédé permettant d'amincir un substrat silicium sur isolant (SOI) initial, comprenant une couche d'oxyde de silicium SiO2 encapsulée entre un substrat porteur en silicium et une couche superficielle de silicium

the invention concerns a method to thin an initial silicon-on-insulator (SOI) substrate, comprising a layer of silicon oxide SiO2 buried between a silicon carrier substrate and a silicon surface layer

brevets / patents - wipo.int





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