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TECHDICO

Dictionnaire technique français<>anglais / English<>French technical dictionary
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barrière de schottky

TRADUCTION INTEGRALE / FULL TRANSLATION
barrière de schottky

Schottky barrier

électronique / electronics - acta.es
diode à barrière de schottky

MS solar cell

électronique et électrotechnique / electronics and electrical engineering - iate.europa.eu // santrans.net
diode à barrière de schottky

Schottky barrier cell

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diode à barrière de schottky

Schottky barrier diode

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diode à barrière de schottky

HCD

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diode à barrière de schottky

hot-carrier diode

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diode à barrière de schottky

Schottky-barrier diode

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diode à barrière de schottky

Schottky-barrier junction

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diode à barrière de schottky

barrier-diode

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diode à barrière de schottky

Schottky diode

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TRADUCTION EN CONTEXTE / TRANSLATION IN CONTEXT
diode à barrière de schottky et procédé de fabrication d'une diode à barrière de schottky

schottky barrier diode and method for manufacturing schottky barrier diode

brevets / patents - wipo.int
l'invention concerne également un procédé de fabrication d'un phototransistor à barrière de schottky.

a method of manufacturing a schottky-barrier phototransistor is also provided.

brevets / patents - wipo.int
une partie barrière ayant une propriété de redressement par rapport à un porteur majoritaire dans la partie barrière de schottky

(111) a barrier portion having a rectifying property with respect to a majority carrier in the schottky barrier portion

brevets / patents - wipo.int
les dispositifs peuvent être des transistors à effet de champ à jonction (JFET) ou des diodes telles que des diodes à barrière de schottky à jonction (JBS) ou des diodes PiN

the devices can be junction field-effect transistors (JFETs) or diodes such as junction barrier schottky (JBS) diodes or PiN diodes

brevets / patents - wipo.int
dans lequel chacune de la partie barrière de schottky et de la partie barrière ayant la propriété de redressement à un profil de bande asymétrique dont le gradient sur un côté est supérieur a un gradient sur un autre côté

in which each of the schottky barrier portion and the barrier portion.having the. rectifying property has an asymmetrical band profile whose gradient on one side is larger than a gradient of another side

brevets / patents - wipo.int
la première électrode forme une barrière de schottky pouvant développer une propriété de redressement et une caractéristique de changement de résistance dans une interface entre la première électrode et un semi-conducteur d'oxyde

the first electrode forms a schottky barrier that can develop a rectifyingproperty and a resistance changing characteristic in an interface between the first electrode and an oxide semiconductor

brevets / patents - wipo.int
et la partie barrière de schottky et la partie barrière ayant la propriété de redressement sont connectées l'une à l'autre de telle sorte que le côté à gradient important du profil de bande est situé sur un côté de l'électrode de schottky.

and the schottky barrier portion and the barrier portion having the rectifying property are connected to each other so that the steep gradient side of the band profile is located on a side of the schottky electrode.

brevets / patents - wipo.int





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