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Dictionnaire technique français<>anglais / English<>French technical dictionary
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arséniure de gallium

TRADUCTION INTEGRALE / FULL TRANSLATION
arséniure de gallium

gallium arsenide

télécom / telecom - acta.es

TRADUCTION EN CONTEXTE / TRANSLATION IN CONTEXT
les technologies bipolaires arséniure de gallium ou du silicium, MOS, CMOS

gallium arsenide or silicon bipolar, MOS and CMOS technologies

système de communication / communications systems - iate.europa.eu // santrans.net
photocathodes à l'arséniure de gallium (GaAs) ou à l'arséniure de gallium-indium (GaInAs).

GaAs or GaInAs photocathodes.

général / general - eur-lex.europa.eu
photocathodes à l'arséniure de gallium (GaAs) ou à l'arséniure de gallium-indium (GaInAs).

GaAs or GaInAs photocathodes. 3. Other III-V compound semiconductor photocathodes. Note: 6A002.a.2.b.3. does not control compound semiconductor photocathodes with a maximum radiant sensitivity of 10 mA-W or less.

général / general - eur-lex.europa.eu
photocathodes à l'arséniure de gallium (GaAs) ou à l'arséniure de gallium-indium (GaInAs). ou

GaAs or GaInAs photocathodes. or

général / general - eur-lex.europa.eu
procédé de fabrication de plaquettes d'arséniure de gallium dopées à faibles coefficients d'absorption optique

method for producing doped gallium arsenide substrate wafers with a low optical absorption coefficient

brevets / patents - wipo.int
Note: L'alinéa 6A002.c. ne vise pas les équipements suivants incorporant des photocathodes autres qu'à l'arséniure de gallium (AsGa) ou à l'arséniure de gallium-indium (AsInGa):

Note: 6A002.c. does not control the following equipment incorporating other than GaAs or GaInAs photocathodes:

général / general - eur-lex.europa.eu
d'une couche de canal composite comprenant une mince couche d'arséniure d'indium incorporée dans la couche de canal d'arséniure de gallium d'indium et d'un dopage double par l'utilisation d'une pointe de dopage de silicium supplémentaire

by a composite channel iaycr including a thin indium arsenide layer embedded in the indium gallium arsenide channel layer and by double doping through the use of an additional silicon doping spike

brevets / patents - wipo.int





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